俄羅斯智能手機開發商 Yota Devices 宣佈將於 3 日於英國倫敦正式發售 YotaPhone 2 ，這款智能手機因俄羅斯總統普京贈予中國國家主席習近平作為禮物而受到關注，現時己得悉其售價為 32,990 盧布折合約 4746.47 港元，不過此手機現時已成為國禮，令國內出現炒風。

YotaPhone 2 智能手機為全球首款採用雙面屏幕智能手機，以 5 吋全高清主屏幕配合 4.7 吋 E-Paper 電子紙屏幕作輔助資訊顯示，提供時計、天氣或信訊提示等日常經常留意的功能，最大好處是採用電子紙的屏幕耗電量低，相比每次喚醒 LCD 主屏幕的耗電量大大減低，大大增強續航力。

其外型簡約，尺吋為 144.9 x 69.4 x 8.95 mm ，重 145g ，機面上下端弧邊設計，機底微弧貼合手形，而且底面亦採用 Corning Gorilla glass 3 強化玻璃覆蓋，加強保護，耐磨防刮。同時，提供主鏡頭及自拍鏡頭，分別採用 800 萬像素及 210 萬像素。

CISCO 2 日向正在使用 Windows XP 的企業發出警告，指出 Windows XP 作業系統的 FAT32 系統格式存在漏洞能導致黑客 USB 設備獲得全面控制權，建議企業盡快升級作業系統免受損失。

儘管 Microsoft 已在今年 4 月正式停止 Windows XP 的支援，但 Windows XP 的全球市場佔有率仍然高達 13.57% ，雖然己相較 10 月份 17.18% 明顯下降，不過 Windows XP 仍然是不少企業正在使用的作業系統之一。

據了解， Windows XP 作業系統的 FAT32 系統格式漏洞，主要是來自 FastFAT.sys 驅動程式，黑客只需要使用帶有惡意 FAT32 啟動扇區的 USB 儲存裝置，就能獲得所有的權限。

HKTV 與 Microsoft 進軍網購平台， Xbox One 將聯手 HKTV Mall 網購平台，集遊戲網購睇電視於一身，讓機迷體驗一站式家庭娛樂購服物， Xbox One 的 HKTV 電視 App 將會於年底前登陸，令玩家可以一邊打機，一邊睇電視，更可以透過該平台選購 Xbox 產品，包括： Xbox One 主機、遊戲及專用配件以及及其他逾 300 間商家的產品。

據 Microsoft 香港消費及零售業務市場主任周瑞娜小姐表示，與 HKTV 合作絕對是雙贏方案，著新媒體的發展，巿民欣賞電視的方式以及購物模式亦不斷改變，網購近幾年亦有長促的發展，此次合作將會進一步豐富 Xbox Live 上的本地娛樂資訊，另一重點是積極推動網購的發展，用家可以一邊打機，一邊睇電視或一邊進行網購，透過彼此的合作在港開拓一站式的網上營銷商機。

HKTV 與 Microsoft 將會合作介紹遊戲及週邊的節目，玩家看到心儀的遊戲或週邊可以即時選購，更有專人親自送上門，毋須舟車勞頓就可購得心頭好，既快捷又方便，十分配合講求效率的港人需要。打機可說是港人工作以外其中一項娛樂減壓的活動，而暫時亦只有 Xbox 可以讓玩家在家中同時可以做到打機、睇電視及購物的平台，對於本地的 Xbox 用家絕對是一項很好的增值服務。

3D 打印技術已走進殯儀業界，美國有一家火葬場為提升生意提供了 3D 打印技術，為顧客制作已故親屬的頭像骨灰庵，親屬只需提供已故親屬不同角度的照片，透過電腦生成 3D 模型，最終採用陶土制成像真度高的頭像。

火葬後骨灰會放置於 3D 模型制作的陶土頭像內，最後以大理石基座封好，這家火葬場為了推銷這項服務，更特別制作了美國現任總統奧巴馬頭像的骨灰庵樣本，相信美國總統看到這則廣告很大機會被氣死。

現時已得悉，美國這家火葬場提供這項服務將會收取額外 2600-3000 美元的收費，制作時間約需要 10-14 日，親屬需要提交一定數目的相片進行 3D 模型制作，完成後會傳送 3D 模型檔案讓家屬確認，這家火葬場預期家族中有名氣或代表性的親友去世，已故親屬將會選擇此一方法留為紀念。

英國 Glasgow University 正在研發可以進一步提升存儲容量取代現有 NAND Flash 的物料，捨棄傳統金屬氧化物半導體改為採用多金屬氧鹽酸化合物，能同等佔用空間大幅提升儲存能力高達 8 倍，將適用於智能手機、平板電腦以至更細小的智能裝置等裝置中。

智能裝置的儲存裝置主要採用 NAND Flash ，採用金屬氧化物半導體制程，這種制程現時已達至 15nm 水平，但要進一步突破至 10nm 以下將會碰到物理上的局限性，因此限制了裝置大小以及儲存空間，而且寫入次數及壽命將會下降。

英國 Glasgow University 正在研究以分子物料擴展 NAND Flash 的存儲裝置空間，有別於現時採用金屬氧化物半導體，改用多金屬氧鹽酸化合物，合作可發揮存儲能力的分子，實驗顯示這種分子的結構穩定性和通電能力都符合要求，相較傳統 NAND Flash 效提升儲存空間高達 8 倍。